9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVB120LSFT1G,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。NRVB120LSFT1G参考价格为0.34美元。onsemi NRVB120LSFT1G包装/规格:DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123。您可以下载NRVB120LSFT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVB1045MFST3G,带引脚细节,包括MBR1045MFS系列,它们设计为使用磁带和卷轴(TR)替代包装包装,数据表注释中显示了用于8-PowerTDFN、5引线的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在5-DFN、8-SO扁平引线(5x6)中工作,该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为500μA@45V,该器件提供750mV@20A电压正向Vf Max。如果,该器件具有45V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为10A,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
NRVB120ESFT1G是DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123,包括530mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在20V电压DC反向电压Vr Max下工作,则数据表说明中显示了SOD-123中使用的供应商设备包,该SOD-123提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作SOD-123封装盒,其工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管肖特基二极管型,电流反向泄漏Vr为10μa@220V,电流平均整流Io为1A。
NRVB120ESFT3G是二极管肖特基20V 1A SOD123,包括1A电流平均整流Io,它们设计为在20V电流反向泄漏Vr下工作10μa,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结区范围为-65°C~150°C,以及SOD-123封装外壳,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,该系列为MBR120ESF,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包SOD-123,电压DC反向Vr Max为20V,电压正向Vf Max If为530mV@1A。