9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EGP30G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。EGP30G参考价格为0.80000美元。onsemi EGP30G包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD。您可以下载EGP30G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP30FHE3/54是DIODE GEN PURP 300V 3A GP20，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-201AA、DO-27、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于GP20，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@300V，该器件提供1.25V@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有300V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
EGP30FHE3/73是DIODE GEN PURP 300V 3A GP20，包括1.25V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在300V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于GP20的供应商设备包，该GP20提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计为在SUPERECTIFIERR中工作，以及50ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为DO-201AA、DO-27，轴向，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@300V，电流平均整流Io为3A。
EGP30F-TP带电路图，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在5μa@300V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-201AE，轴向封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-201AE，电压DC反向Vr Max为300V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A。
