9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYG23T-M3/TR3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYG23T-M3/TR3参考价格为0.15106美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYG23T-M3/TR3封装/规格：DIODE AVLANCHE 1300V 1A DO214AC。您可以下载BYG23T-M3/TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYG23T-M3/TR是DIODE AVLANCHE 1300V 1A DO214AC，包括BYG23T-M3系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC、SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（SMA），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@1300V，电压正向Vf Max If为1.9V@1A，电压反向Vr Max为1300V（1.3kV），电流平均整流Io为1A（DC），反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为9pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，Vf正向电压为9 V，Vr反向电压为1300 V，Ir反向电流为5 uA，最大浪涌电流为18 A，恢复时间为75 ns。
BYG23M-M3/TR是DIODE AVLANCHE 1KV 1.5A，包括1.7V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及75ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电流平均整流Io为1.5A。
BYG23M-M3/TR3，带电路图，包括1.5A电流平均整流Io，设计用于在5μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于雪崩，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC、SMA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.7V@1A。
