9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSVBAS20LT3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NSVBAS20LT3G参考价格为0.04505美元。onsemi NSVBAS20LT3G包装/规格：DIODE GP 200V 200MA SOT23-3。您可以下载NSVBAS20LT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSVBAS19LT1G是DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23-2（to-236），速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供120V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的NSVBAS16WT3G，包括1.25V@200mA电压正向Vf Max，如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于SC-70-3（SOT323），提供速度特性，如小信号=，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及6ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为SC-70、SOT-323，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为200mA（DC）。
带有电路图的NSVBAS16TT1G，包括200mA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在1μa@100V电流反向泄漏Vr的情况下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及SC-75、SOT-416封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为6ns，该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为SC-75，SOT-416，电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为1.25V@150mA。
