9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE30AFDHM3/6A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE30AFDHM3/6A参考价格0.13497美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE30AFDHM3/6A封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC。您可以下载SE30AFDHM3/6A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE30AFB-M3/6A是DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于标准回收整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供了零件别名功能，如SE30AFBHM3/6A SE30AFBH M3/6B，单位重量设计为0.001129盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作SlimSMA商品名。此外，封装外壳为DO-221AC，SMA扁平引线，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-221AC，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为910mV@1.5A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.4A（DC），反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为19pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，Vr反向电压为100V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为35A，恢复时间为1.2us。
SE30AFB-M3/6B是DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-221AC的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及1.5μs的反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，封装外壳为DO-221AC，SMA扁平引线，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100μa@100V，电流平均整流Io为1.4A（DC），电容Vr F为19pF@4V，1MHz。
SE30AFBHM3/6B是DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC，包括19pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1.4A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.5μs反向恢复时间trr，设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-221AC，电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为1.1V@3A。
