9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSR01L30P2T5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSR01L30P2T5G参考价格为0.42000美元。onsemi NSR01L30P2T5G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923。您可以下载NSR01L30P2T5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSR01L30MXT5G带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于2-XFDFN封装盒，数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于2-X3DFN（0.62x0.32），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@30V，器件提供460mV@10mA电压正向Vf Max。如果，器件具有30V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为100mA（DC），其工作温度结范围为150°C（Max），Pd功耗为180 mW，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为460 mV，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为100 mA，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为2 A。
NSR01F30NXT5G是DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DSN，包括30V Vrm重复反向电压，它们设计为在500mV@100MA电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于30V的直流反向Vr Max，它提供了0.5V等Vf正向电压特性，以及2-DSN（0.60x0.30）供应商设备包，该设备也可以用作小信号=速度。此外，该系列为NSR01F30NXT5G，该器件采用肖特基二极管产品，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-XFDFN，其工作温度结范围为125°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，Ir反向电流为50 uA，Ifsm正向浪涌电流为4 a，如果正向电流为100 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为50μA@30V，电流平均整流Io为100mA（DC），电容Vr F为7pF@5V，1MHz。
NSR01L30NXT5G是二极管肖特基30V 100MA 2DSN，包括7pF@5V，1MHz电容Vr F，设计用于100MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr，如数据表注释所示，用于3μa@30V，提供二极管类型功能，如肖特基，如果正向电流设计为100MA，该器件还可以用作3uA Ir反向电流。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SMD/SMT安装方式，其工作温度结范围为150°C（最大值），包装箱为2-XFDFN，包装为Digi-ReelR替代包装，产品为肖特基二极管，系列为NSR01L30NXT5G，速度为小信号=，供应商设备包装为2-DSN（0.60x0.30），技术为Si，Vf正向电压为0.53V，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为530mV@100mA，Vrm重复反向电压为30V。
