9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1FLM-M-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1FLM-M-08参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1FLM-M-08封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB。您可以下载S1FLM-M-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1FLM-GS08是DIODE SW 1000V DO-219AB，包括SIFLM系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，其工作温度范围为-55 C至+150 C，包装箱设计用于DO-219A B，以及表面安装型，该设备也可以用作DO-219AB（SMF）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@1000V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为700mA，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为4pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1.5 A，最大浪涌电流为22 A，恢复时间为1.8 us。
带有用户指南的S1FLM-GS18，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，数据表说明中显示了DO-219AB（SMF）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备也可以用作DO-219AB包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为4pF@4V，1MHz。
带有电路图的S1FLK-M-18，包括4pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@800V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作DO-219AB包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供1.8μs反向恢复时间trr，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-219AB（SMF），电压直流反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
