9icnet为您提供MicroCommercial Co设计和生产的MMBD4448WT-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBD4448WT-TP参考价格为0.29000美元。Micro Commercial Co MMBD4448WT-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323。您可以下载MMBD4448WT-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBD4448W-7-F是DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-70、SOT-323封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-323，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作1μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供75V电压直流反向Vr Max，该器件具有250mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
MMBD4448WTR，带有用户指南，包括1V@100mA正向电压Vf Max。如果设计为在75V电压DC反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOT-323，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装设计为在磁带和卷轴（TR）以及SC-70、SOT-323包装箱中工作，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有2.5μa@75V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为250mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
MMBD4448W-7是DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于250MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可用作SC-70、SOT-323封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SOT-323，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA。
