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NSR02L30NXT5G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DSN,包括NSR02L330NXT5G系列,它们设计用于肖特基二极管产品,数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装,该封装提供SMD/SMT等安装样式功能,封装盒设计用于2-XFDFN,以及Si技术,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为2-DSN(0.60x0.30),该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为50μa@30V,电压正向Vf Max If为550mV@200mA,电压直流反向Vr Max为30V,电流平均整流Io为200mA,电容Vr F为7pF@5V,1MHz,其工作温度结范围为125°C(最大值),Vf正向电压为0.58 V,Ir反向电流为3 uA,如果正向电流为200 mA,Vrm重复反向电压为30 V,Ifsm正向浪涌电流为4 A。
带有用户指南的NSR02F30MXT5G,包括600mV@200mA正向电压Vf Max。如果设计为在30V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于2-X3DFN(0.62x0.32)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=200mA(Io)等速度功能,包装设计为在磁带和卷轴(TR)中工作,以及2-XFDFN包装盒,其工作温度结范围为-55°C~125°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为肖特基二极管类型,该器件具有50μa@30V的反向电流泄漏Vr,平均整流电流Io为200mA(DC)。
NSR02F30NXT5G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DSN,包括200 mA正向电流,设计用于4 a Ifsm正向浪涌电流,Ir反向电流如数据表注释所示,用于50 uA,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于0201,以及卷筒包装,该器件也可以用作肖特基二极管产品。此外,该系列为NSR02F30NXT5G,该器件采用Si技术,该器件具有0.55V的Vf正向电压,Vrm重复反向电压为30V。