9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSR10F30NXT5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSR10F30NXT5G参考价格为0.55000美元。onsemi NSR10F30NXT5G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN。您可以下载NSR10F30NXT5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NSR10F30NXT5G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NSR1020MW2T3G是DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323，包括NSR1020MW2系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001164盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SC-76、SOD-323以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOD-323供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为40μa@15V，正向电压Vf Max If为540mV@1A，直流反向电压Vr Max为20V，电流平均整流Io为1A（DC），电容Vr F为29pF@5V，1MHz，它的工作温度结范围为125°C（最大），最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.54 V，Ir反向电流为40 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为5 A。
NSR10F20NXT5G是DIODE SCHOTTKY 20V 1A 2DSN，包括20 V Vrm重复反向电压，它们设计为在450 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于20V的电压直流反向Vr Max，其提供了430 mV等Vf正向电压特性，技术设计为在Si中工作，以及2-DSN（1.4x0.6）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为NSR10F20NX，该器件为肖特基二极管产品，该器件具有1.47W的Pd功耗，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-XFDFN，其工作温度结范围为150°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，Ir反向电流为20uA，Ifsm正向浪涌电流为18A，If正向电流为1A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μA@220V，电流平均整流Io为1A（DC）。
NSR1030QMUTAG带有电路图，包括单配置，它们设计用于1A电流DC正向If Max，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，该肖特基提供If Forward Current功能，如1 a，Ifsm正向浪涌电流设计用于12 a，以及4 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该器件为表面安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，封装盒为4-UDFN暴露焊盘，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1.8 W，产品为肖特基二极管，供应商器件封装为4-UDFN（3x3），trr反向恢复时间为25ns，Vf正向电压为490mV，电压峰值反向最大值为30V，Vr反向电压为30V、Vrm重复反向电压为30 V。
