9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES2DHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2DHE3_A/H参考价格为0.57000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES2DHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA。您可以下载ES2DHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如ES2DHE3_A/H价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S2D-E3/5BT是DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA，包括标准回收整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于S2D-E3-52T的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
S2D-E3/61T，带有VISHAY制造的用户指南。S2D-E3/61T采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
S2DHE3/61T，带有VISHAY制造的电路图。S2DHE3/61T采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
