9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SBAS16XV2T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBAS16XV2T1G参考价格为0.46000美元。onsemi SBS16XV2T1G包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523。您可以下载SBAS16XV2T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SBAS16LT1G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供表面安装等安装类型功能，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@100V，器件提供1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为6ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SBAS16LT3G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOT-23中使用的供应商设备包，该SOT-23提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@75V，电流平均整流Io为200mA（DC），而电容Vr F在0V、1MHz时为2pF。
SBAS16WT1G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-70、SOT-323封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以6ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SC-70，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA。
