冷却SiC™ 第5代代表了Infineon领先的SiC肖特基势垒二极管技术。由于更紧凑的设计和薄晶圆技术,新系列产品在所有负载条件下都显示出更高的效率,这是由于热特性的改善和较低的品质因数(Qcx伏f).
 
新型CoolSiC™ 第5代旨在补充我们的650V CoolMOS™ 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
特色
- 650V时的V br
 - 改进的品质因数(Q c x V f)
 - 无反向回收费用
 - 软开关反向恢复波形
 - 与温度无关的开关行为
 - 高工作温度(T j最高175°C)
 - 提高浪涌能力
 - 无铅铅镀层
 - 更高的过电压安全裕度,补充了CoolMOS™ 提供
 - 在所有负载条件下提高效率
 - 与硅二极管替代品相比,效率更高
 - 与快速硅二极管反向恢复波形相比,EMI降低
 - 高度稳定的切换性能
 - 降低冷却要求
 - 降低热失控风险
 - 符合RoHS
 - 非常高质量和大批量的制造能力
 
应用
- 太阳的
 - 不间断电源(UPS)
 - 电机控制和驱动
 


















