Infineon thinQ!™ 第5代为改善热特性的SiC肖特基势垒二极管提供了一种新的薄晶圆技术。SiC肖特基二极管器件提供了有利的高压功率半导体特征,例如更高的击穿场强和改进的热导率。最新一代适用于电信SMPS和高端服务器、UPS系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及PC Silverbox和照明应用。
减少EMI
特色
- 改进的品质因数(Q c x V f)
 - 无反向回收费用
 - 软开关反向恢复波形
 - 与温度无关的开关行为
 - 高工作温度(T j最高175°C)
 - 提高浪涌能力
 - 无铅铅镀层
 - 更高的过电压安全裕度,补充了CoolMOS™ 提供
 - 在所有负载条件下提高效率
 - 与硅二极管替代品相比,效率更高
 - 与快速硅二极管反向恢复波形相比,EMI降低
 - 高度稳定的切换性能
 - 降低冷却要求
 - 降低热失控风险
 - 符合RoHS
 - 非常高质量和大批量的制造能力
 
应用
- 太阳的
 - 不间断电源
 - 电机驱动装置
 














