9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS3J-E3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS3J-E3/9AT参考价格为0.70000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS3J-E3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB。您可以下载RS3J-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS3J-E3/57T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于RS3J-E3/9AT零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007408盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的快速恢复速度为200mA（Io），该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为1.3V@2.5A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为34pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.3V，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为250ns。
RS3JB-13-G-90，带有DIODES制造的用户指南。RS3JB-13-G-90采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
RS3JBF，电路图由东芝/VISHAY制造。RS3JBF采用SMBF封装，是IC芯片的一部分。
