9icnet为您提供由onsemi设计和生产的US1BFA，该产品在9icnet现场销售，可以通过原始工厂和代理商等渠道购买。美国1BFA价格参考值0.44000美元。onsemi US1BFA包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA。您可以下载US1BFA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1B-E3/5AT是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括US1x系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如US1B-E3/11T，单位重量设计为0.00739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
US1B-E3/61T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于100V的电压直流反向Vr Max，该100V提供Vf正向电压功能，例如1 V，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为US1x，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，零件别名为US1B-E3/5AT，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
US1BF，电路图由东芝/VISHAY制造。US1BF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
