9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MBR140ESFT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MBR140ESFT1G参考价格为0.43000美元。onsemi MBR140ESFT1G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL。您可以下载MBR140ESFT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MBR130T3G是DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123，包括MBR130系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如MBR130T1G，单位重量设计用于0.001058盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作SOD-123包装箱。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-123，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为60μa@30V，电压正向Vf Max If为450mV@700mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为1A，其工作温度结范围为-65°C~125°C，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为0.47 V，Ir反向电流为60 uA，如果正向电流为1 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为5.5A。
MBR130T3是DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123，包括470mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在30V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-123中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，其工作温度结范围为-65°C~125°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有60μa@30V的反向漏电Vr，电流平均整流Io为1A。
MBR130T1H带有ON制造的电路图。MBR130T1 H采用SOD-123封装，是IC芯片的一部分。
