9icnet为您提供由WeEn Semiconductors设计和生产的BYV29B-500118，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYV29B-500118参考价格为1.08000美元。WeEn半导体BYV29B-500118包装/规格：DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK。您可以下载BYV29B-500118英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYV29B-400HE3/81是DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB、，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单双阴极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，正向电压Vf Max If为1.25V@8A，直流反向电压Vr Max为400V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为50ns，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-40°C，20 A时Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为110 A，恢复时间为50 ns。
BYV29B-400HE3/45是DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.25 V@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的直流反向电压Vr Max，它提供了20 a时1.4 V的正向电压特性，单位重量设计为0.063493盎司，以及TO-263AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以50ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-40°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-40 C，最大浪涌电流为110 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@400V，平均整流电流Io为8A，并且配置为单双阴极。
BYV29B-500，带有PH制造的电路图。BYV29B-500采用TO-263-2封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
