9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MCL4151-TR3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MCL4151-TR3参考价格为0.23000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MCL4151-TR3封装/规格:DIODE GEN PURP 75V 200MA MICMELF。您可以下载MCL4151-TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MCL4151-TR是DIODE SCHOTTKY 75V 200MA MICMELF,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表说明中显示了用于2-SMD、无引线、提供表面安装等安装类型功能的包装盒,供应商设备包设计用于MicroMELF,以及小信号=速度、,该器件也可以用作肖特基二极管型。此外,电流反向泄漏Vr为50nA@50V,该器件提供1V@50mA电压正向Vf Max。如果,该器件具有75V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为200mA,反向恢复时间trr为4ns,电容Vr F为2pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为125°C(最大值)。
MCL4148-TR是DIODE GEN 75V 150MA MICROMELF,包括1V@50mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于MICROMELF的供应商设备包,该设备提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性,除了Digi-ReelR替代封装外,该器件还可以用作2-SMD、无引线封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@75V,电流平均整流Io为150mA,而电容Vr F在0V、1MHz时为4pF。
MCL4148-TR3是DIODE GEN 75V 200MA MICROMELF,包括4pF@0V、1MHz电容Vr F,它们设计用于200MA电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于25nA@20V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为175°C(最大值),该设备也可以用作2-SMD,无引线封装外壳。此外,包装为Digi-ReelR替代包装,该设备以8ns反向恢复时间trr提供,该设备具有小信号=速度,供应商设备包装为MicroMELF,直流反向电压Vr Max为75V,正向电压Vf Max If为1V@50mA。