9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MURD530T4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURD530T4G参考价格1.72000美元。onsemi MURD530T4G包装/规格：DIODE GEN PURP 300V 5A DPAK。您可以下载MURD530T4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MURD340T4G是二极管GEN PURP 400V 3A DPAK，包括SWITCHMODE？系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及表面安装安装型，该设备也可作为DPak-3供应商设备包使用。此外，该配置为单双阳极，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，正向电压Vf Max If为1.15V@3A，直流反向电压Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为75 A，恢复时间为50 ns。
MURD340T4是DIODE GEN PURP 400V 3A DPAK，包括1.15V@3A电压正向Vf Max。如果它们设计用于400V电压直流反向Vr Max，则数据表说明中显示了DPAK-3中使用的供应商设备包，该DPAK-3提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性？，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度结范围为-55°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为3A。
MURD420带有ON制造的电路图。MURD420采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
