9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的UF1006-T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UF1006-T参考价格为0.49000美元。Diodes Incorporated UF1006-T封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO41。您可以下载UF1006-T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UF1006-M3/54，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如DO-204AL（DO-41），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，该器件提供800V电压直流反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 180°C。
UF1006-M3/73，带用户指南，包括1.7V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为75ns，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，其工作温度结范围为-55°C~125°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
UF1006T，带有VISHAY制造的电路图。UF1006T采用DO-41封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
