9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAT85S-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAT85S-TR参考价格为0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAT85S-TR封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35。您可以下载BAT85S-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAT85S-TAP是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35，包括肖特基二极管产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及Si技术，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-35，该设备为单配置，该设备具有小信号=速度，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2μa@25V，电压正向Vf Max If为800mV@100mA，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA（DC），反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为10pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+125°C，最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.8 V，电流为0.1 A，Ir反向电流为2 uA，如果正向电流为0.2 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为5A，trr反向恢复时间为5ns。
BAT854W，115是DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323，包括550mV@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在40V电压直流反向Vr Max下工作，则供应商设备包如数据表注释所示，用于SOT-323，该SOT-323提供速度特性，如小信号=，SOT-323封装外壳，其工作温度结范围为150°C（最大值）。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有500nA@25V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为20pF@1V，1MHz。
BAT854W，带有NXP制造的电路图。BAT854W采用SOT-323封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
