9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4935RLG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4935RLG参考价格为0.36000美元。onsemi 1N4935RLG包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41。您可以下载1N4935RLG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4935G-T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1N49系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-65℃至+150℃，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，设备在DO-41供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为200ns，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为200ns。
1N4935L-T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4935RL是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-204AL、DO-41，轴向包装盒，该设备也可以用作切割胶带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为300ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-41供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A。
