STTH1R02QRL采用ST新的200V平面Pt掺杂技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。
该装置封装在DO-41、DO-15、SMA和SMB中,用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。
特色
- Verylow传导损耗
- 低速前进和低速后退
- 可忽略的开关损耗
- 高温
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 3.18687 | 3.18687 |
10+ | 2.75230 | 27.52302 |
100+ | 2.05481 | 205.48110 |
500+ | 1.61429 | 807.14900 |
1000+ | 1.24744 | 1247.44500 |
2000+ | 1.16741 | 2334.82200 |
6000+ | 1.16741 | 7004.46600 |
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STTH1R02QRL采用ST新的200V平面Pt掺杂技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。
该装置封装在DO-41、DO-15、SMA和SMB中,用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。
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