9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的LL101B-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。LL101B-GS18参考价格为0.41000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division LL101B-GS18封装/规格：DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80。您可以下载LL101B-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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LL101B-GS08是DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80，包括汽车、AEC-Q101系列，设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.001093盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SOD-80 MiniMELF供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@40V，电压正向Vf Max If为950mV@15mA，电压反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为30mA，反向恢复时间trr为1ns，电容Vr F为2.1pF@0V，1MHz，工作温度结范围为125°C（最大值），最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C，在0.015 A时Vf正向电压为0.95 V，Ir反向电流为0.2 uA，如果正向电流为0.03 A，Vrm重复反向电压为50V，Ifsm正向浪涌电流为2A，trr反向恢复时间为1ns。
带有用户指南的LL101B-13，包括400mV@1mA电压正向Vf Max，如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-80 MiniMELF中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如小信号=，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及1ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度结范围为125°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@40V，电流平均整流Io为30mA（DC），电容Vr F为2.1pF@0V，1MHz。
LL101B-7带电路图，包括2.2pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于30mA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于200nA@40V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为125°C（最大值），该器件也可以用作DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以1ns反向恢复时间trr提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为小信号=，供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF，电压DC反向Vr最大值为50V，电压正向Vf最大值为400mV@1mA。
