STTH1R02RL采用ST新的200V平面Pt掺杂技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。
该装置封装在DO-41、DO-15、SMA和SMB中,用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。
特色
- Verylow传导损耗
- 低速前进和低速后退
- 可忽略的开关损耗
- 高温
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 3.69387 | 3.69387 |
10+ | 3.00580 | 30.05804 |
100+ | 2.04756 | 204.75680 |
500+ | 1.53549 | 767.74750 |
1000+ | 1.15154 | 1151.54900 |
2000+ | 1.05565 | 2111.30600 |
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STTH1R02RL采用ST新的200V平面Pt掺杂技术,特别适用于开关模式基极驱动和晶体管电路。
该装置封装在DO-41、DO-15、SMA和SMB中,用于低压、高频逆变器、续流和极性保护。
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