9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5614US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5614美国参考价格5.55000美元。Microchip Technology 1N5614US包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A D5A。您可以下载1N5614US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5614GPHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于DO-204AC、DO-15、轴向的包装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-204A C（DO-15），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@200V，该器件提供1.2V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为45pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
1N5614GP-E3/73是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC，包括1.2V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AC（DO-15）的供应商设备包，该DO-204AAC提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了2μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为DO-204AC，DO-15，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为45pF@12V，1MHz。
1N5614GP-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC，包括45pF@12V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为切割胶带（CT），该设备以2μs反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为DO-204AC（DO-15），电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为1.2V@1A。
