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PMEG4010ESBYL,带有引脚细节,包括肖特基整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)封装一起工作,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供封装外壳功能,如2-XDFN,技术设计为在Si中工作,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作DSN1006-2供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,该设备具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为40μa@40V,正向电压Vf Max If为610mV@1A,直流反向电压Vr Max为40V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为2.9ns,电容Vr F为22pF@10V,1MHz,工作温度结范围为150°C(最大值),Pd功耗为1.78 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为510 mV,Vr反向电压为40 V,Ir反向电流为13 uA,如果正向电流为1 A,Vrm重复反向电压为40V,Ifsm正向浪涌电流为10A,trr反向恢复时间为2.9ns。
PMEG4010ESBZ带用户指南,包括610mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在40V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DSN1006-2中使用的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为2.9ns,以及磁带和卷轴(TR)封装,该器件也可用作2-XDFN封装盒,其工作温度结范围为150°C(最大值),该器件为表面安装型,该器件具有二极管型肖特基二极管,电流反向泄漏Vr为40μa@40V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为22pF@10V,1MHz。
PMEG410ER+115,带有NXP制造的电路图。PMEG410ER+115采用SOD-123W封装,是二极管、整流器-单体的一部分。