9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-81CNQ045ASLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-81CNQ045ASLPBF参考价格为1.066美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-81CNQ045ASLPBF封装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 40A D618SL。您可以下载VS-81CNQ045ASLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-10WT10FNTR带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如D-PAK（to-252AA），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及肖特基二极管类型，该器件还可以用作50μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为810mV@10A，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有10A电流平均整流Io，电容Vr F为400pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
带用户指南的VS-10WT10FNTRL，包括810mV@10A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于D-PAK（to-252AA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，SC-63包装箱，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有50μa@100V的电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为10A，电容Vr F为400pF@5V，1MHz。
带有电路图的VS-10WT10FNTRR，包括400pF@5V、1MHz电容Vr F，它们设计用于10A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于50μa@100V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，设备具有供应商设备包的D-PAK（TO-252AA），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为810mV@10A。
VS-10WT10FN是DIODE SCHOTTKY 100V 10A DPAK，包括TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，它们设计为与TO-252、（D-Pak）供应商器件封装一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供二极管类型功能，如肖特基，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及810mV@10A正向电压Vf Max If，其工作温度结范围为-55°C~175°C。此外，电流反向泄漏Vr为50μA@100V，该器件提供10A电流平均整流Io，该器件具有100V电压DC反向Vr Max。
