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SPB08P6P G是MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263，包括SPB08P106系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000102179 SPB08P06PGATMA1 SPB08P006PGXT，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SIPMOS商标，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 P通道，Pd功耗为42 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为46 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为300mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为16ns，沟道模式为增强。
SPB-09是MARKER BOOK，包括10.240001盎司的单位重量，它们设计用于与导线标记器一起工作，书籍（穿孔）类型，温度范围如数据表注释所示，适用于0℃至+66℃，具有0.22“W x 1.37”L（5.6mm x 34.8mm）等尺寸特征，系列设计用于ScotchCode？SPB以及标记产品，该设备也可以用作05400749959 80610596985零件号别名。此外，每本书的包装为450，该设备采用乙烯基布材料，该设备具有1,2,3，a，B，C；图例和功能的L1、L2、L3、T1、T2、T3装订在一本双折书中，颜色为白色，电缆直径为0.47“（11.9mm）。
SPB08P6P是FEELING制造的MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK。SPB08P6P采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK，P沟道60V 8.8B（Ta）42W（Tc）表面安装PG-TO263-3-2。
SPB08P6PG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。SPB08P6PG在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
