9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SBLF1030CT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBLF1030CT-E3/45参考价格$0.86482。Vishay General Semiconductor-二极管部门SBLF1030CT-E3/45封装/规格：二极管阵列肖特基30V ITO220。您可以下载SBLF1030CT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBLB8L40-E3/81是DIODE SCHOTTKY 40V 8A TO263AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该器件也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备采用单双阴极配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@40V，电压正向Vf Max If为500mV@8A，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为8A，它的工作温度结范围为-65°C~125°C，最大工作温度范围为+125°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.5 V，Ir反向电流为1000 uA，如果正向电流为8 A，Vrm重复反向电压为40 V，Ifsm正向浪涌电流为250 A。
SBLB8L40HE3/81是DIODE SCHOTKY 40V 8A TO263AB，包括40V Vrm重复反向电压，它们设计为在500mV@8A正向电压Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于40V的直流反向电压Vr Max，其提供了0.5V等正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C~125°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为1000 uA，Ifsm正向浪涌电流为250 A，如果正向电流为8 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@40V，电流平均整流Io为8A，配置为单双阴极。
SBLB8L40-E3/45是二极管肖特基40V 8A TO263AB，包括单双阴极配置，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1mA@40V，提供二极管类型功能，如肖特基，如果正向电流设计用于8A，以及250A Ifsm正向浪涌电流，该器件也可以用作1000 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~125°C，封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为管交替包装，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，技术为Si，单位重量为0.048678 oz，Vf正向电压为0.5V，电压DC反向Vr Max为40V，电压正向Vf Max If为500mV@8A，Vrm重复反向电压为40V。
SBLB8L40HE3/45是DIODE SCHOTTKY 40V 8A TO263AB，包括管替代包装包装，它们设计用于to-263AB供应商设备包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA，提供表面安装等安装类型功能，安装样式设计用于SMD/SMT，该器件也可以用作Si技术。此外，该产品为肖特基整流器，该器件为肖特基二极管类型，该器件速度快速恢复=20mA（Io），平均整流电流Io为8A，如果正向电流为8A，则其工作温度结范围为-65°C~125°C，电压正向Vf Max If为500mV@8A，电压反向Vr Max为40V，Vrm重复反向电压为40V，Ifsm正向浪涌电流为250A，电流反向泄漏Vr为1mA@40V，Ir反向电流为1000uA，Vf正向电压为0.5V，单位重量为0.048678oz，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C。
