这些器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适合于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 卓越的输出容量(Coss)曲线
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 9.92277 | 9.92277 |
10+ | 8.83633 | 88.36338 |
100+ | 6.89161 | 689.16190 |
500+ | 5.69320 | 2846.60450 |
1000+ | 4.49465 | 4494.65400 |
2000+ | 4.19508 | 8390.17600 |
5000+ | 4.08608 | 20430.41000 |
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这些器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适合于要求最高的高效率转换器。
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