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MBR20100CT-E3/4W

  • 描述:二极管种类: 肖特基 二极管架构(配置): 1对公共阴极 最大直流反向电压 (Vr): 100伏 单二极管整流平均值 (Io): 10A 供应商设备包装: TO-220-3 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度
  • 品牌: 威世二极管 (Vishay General)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.50773 15.50773
10+ 13.94253 139.42536
100+ 11.20596 1120.59610
500+ 9.20697 4603.48900
1000+ 7.89177 7891.77800
  • 库存: 1710
  • 单价: ¥15.50774
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.51
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 速度 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io)
  • 二极管架构(配置) 1对公共阴极
  • 二极管种类 肖特基
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 最大直流反向电压 (Vr) 100伏
  • 工作结温 -65摄氏度~150摄氏度
  • 反向漏电流 @ 直流反向电压 100A@100伏
  • 单二极管整流平均值 (Io) 10A
  • 制造厂商 威世二极管 (Vishay General)
  • 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 800 mV @ 10 A
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 特点 -

MBR20100CT-E3/4W 产品详情

TMBS-沟槽MOS势垒肖特基整流器,最大20A,Vishay半导体

Vishay公司的沟槽MOS势垒肖特基(TMBS)整流器系列包含一种获得专利的沟槽结构。TMBS整流器比平面肖特基整流器具有几个优点。在45V及以上的工作电压下,肖特基整流器可能在很大程度上失去其快速开关速度和低正向压降的优势。获得专利的TMBS结构通过减少对漂移区的少数载流子注入来解决这些问题,从而最小化存储电荷并提高开关速度。

特征

专利沟槽结构
提高AC/DC开关电源和DC/DC转换器的效率
高功率密度和低正向电压

MBR20100CT-E3/4W所属分类:二极管/整流器阵列,MBR20100CT-E3/4W 由 威世二极管 (Vishay General) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MBR20100CT-E3/4W价格参考¥15.507735,你可以下载 MBR20100CT-E3/4W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MBR20100CT-E3/4W规格参数、现货库存、封装信息等信息!

威世二极管 (Vishay General)

威世二极管 (Vishay General)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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