9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFS4854NSGEVB，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFS4854NSGEVB参考价格156.25000美元。onsemi NTMFS4854NSGEVB包装/规格：EVAL BOARD NTMFS4856NSG。您可以下载NTMFS4854NSGEVB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFS4851NT1G是MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于SO-8FL中，提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单四漏极三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为2.16W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为5.2 ns，上升时间为39.8 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为15 A，Vds漏源击穿电压为30 V，Rds导通漏极-源极电阻为5.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.6ns，典型接通延迟时间为14.4ns，沟道模式为增强型。
NTMFS4852NT1G是MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作3.3毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2.31 W，该器件采用卷筒包装，该器件具有SO-8FL封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为155 a，配置为单一。
NTMFS4852NT3G是MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO，包括155 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供封装外壳功能，如SO-8FL，封装设计用于卷筒，以及2.1 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作NTMFS4852N系列。此外，该技术为Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为30 V。
NTMFS4854NSGEVB带有EDA/CAD模型，包括SENSEFETR系列，它们设计用于电源管理主要用途，使用的IC部件如数据表注释所示，用于NTMFS4856NS，提供嵌入式功能，如无，主要属性设计用于单通道（单）。
