TLV493DA1B62GOKITTOBO1
- 描述:采用的IC/零件: TLV493D-A1B6 连接口: IOC 随附物品: 董事会
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥861.90719
-
数量:
- +
- 总计: ¥861.91
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规格参数
- 传感范围 -
- 灵敏度 -
- 连接口 IOC
- 随附物品 董事会
- 嵌入 -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 过时的
- 传感器型号 磁性、线性、旋转位置
- 采用的IC/零件 TLV493D-A1B6
- 电源电压 2.7伏~3.5伏
- 特点 -
- 种类 -
- 工作温度 -
TLV493DA1B62GOKITTOBO1 产品详情
Infineon TLV493D-A1B6 3D磁传感器2 Go评估套件帮助设计师熟悉3D磁传感器，并为产品评估提供测量。评估套件具有一个带有磁性传感器和ARM的评估板� Cortex-M0 CPU。该套件配有车载调试器、USB供电（Micro USB）、ESD和反向电流保护。设计师可以下载图形用户界面（GUI）进行测量。
TLV493DA1B62GOKITTOBO1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TLV493DB1B6HTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IC 3D MAGN SENSOR TSOP6-6 | ¥3.17522 |
 | TLV49681TAXBXA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 功能: 单极开关 电源电压: 2.7伏~18伏 最大供电电流: 6毫安 供应商设备包装: TO-92S 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度 | ¥7.43289 |
 | TLV4964-5TBXALA1 | 英飞凌 (Infineon) | MAG SWITCH HIGH PRECISION HALL | ¥1.94843 |
 | TLV4961-1TBXALA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 功能: 闩锁，双极开关 电源电压: 3V～26V 最大供电电流: 2.5毫安 供应商设备包装: TO-92S 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） | ¥2.16492 |
 | TLV49462LXA | 英飞凌 (Infineon) | MAGNETIC SWITCH HALL EFFECT SENS | ¥2.30925 |
 | TLV4946KFTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | POSITION&CURRENT SENSORS | ¥1.44328 |
 | TLV4961-1TB | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 功能: 闩锁，双极开关 电源电压: 3V～26V 最大供电电流: 2.5毫安 供应商设备包装: TO-92S 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） | ¥13.47617 |
 | TLV49611TBXALA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 功能: 锁存器 电源电压: 3V～26V 最大供电电流: 2.5毫安 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） | ¥8.29886 |
| TLV493DA2BWXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 输出类别: IOC 传感范围: ±160mT 电源电压: 2.8伏~3.5伏 最大供电电流: 130nA 供应商设备包装: 5-WLCSP (1.13x0.93) | ¥5.06952 |
 | TLV4906LHALA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 功能: 单极开关 电源电压: 2.7伏~18伏 最大供电电流: 6毫安 供应商设备包装: PG-SSO-3-2 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥2.30925 |
TLV493DA1B62GOKITTOBO1所属分类：传感器评估板，TLV493DA1B62GOKITTOBO1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TLV493DA1B62GOKITTOBO1价格参考￥861.907187，你可以下载 TLV493DA1B62GOKITTOBO1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TLV493DA1B62GOKITTOBO1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
