STM32H442xI/G和STM32H4743xI/G设备基于高性能Arm®Cortex-M7 32位RISC核心，工作频率高达480 MHz。Cortex®-M7内核具有浮点单元（FPU），支持Arm？双精度（符合IEEE 754）和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H742xI/G和STM32H743xI/G设备支持全套DSP指令和内存保护单元（MPU），以增强应用程序的安全性。
STM32H442xI/G和STM32H4743xI/G设备包含高速嵌入式存储器，具有高达2M字节的双组闪存、高达1M字节的RAM（包括192 KB的TCM RAM、高达864 KB的用户SRAM和4 KB的备份SRAM），以及连接到APB总线、AHB总线、，2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。
特色
- 32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存：16 KB数据和16 KB指令缓存；频率高达480 MHz、MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令
- 高达2 MB的闪存，支持边读边写
- 高达1 MB的RAM：192 KB的TCM RAM（股份有限公司64 KB的ITCM RAM+128 KB的DTCM RAM，用于时间关键型例程），高达864 KB的用户SRAM，以及4 KB的备份域SRAM
- 双模式Quad SPI存储器接口，最高运行133 MHz
- 灵活的外部存储器控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟高达100 MHz
- CRC计算单元
- ROP、PC-ROP、主动篡改
- 多达168个具有中断功能的I/O端口
- 3个独立的电源域，可独立时钟门控或关闭：
- D1：高性能能力
- D2：通信外设和定时器
- D3：复位/时钟控制/电源管理
- 1.62至3.6 V应用电源和I/O
- POR、PDR、PVD和BOR
- 内置3.3V内部稳压器的专用USB电源为内部PHY供电
- 嵌入式稳压器（LDO），具有可配置的可扩展输出，为数字电路供电
- 运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）
- 备用调节器（~0.9 V）
- 模拟外围设备/VREF的参考电压+
- 低功耗模式：睡眠、停止、待机和VBAT支持电池充电
- 具有充电能力的VBAT电池工作模式
- CPU和域电源状态监视引脚
- 待机模式下2.95μA（备用SRAM关闭，RTC/LSE打开）
- 内部振荡器：64 MHz HSI、48 MHz HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI
- 外部振荡器：4-48 MHz HSE，32.768 kHz LSE
- 3×PLL（1个用于系统时钟，2个用于内核时钟），带分数模式
