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HMC-ABH264是IC RF AMP DIE，包括中等功率放大器类型，它们设计用于散装封装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如芯片，频率设计用于34GHz~42GHz，以及GaAs技术，该设备也可用于34GHz-42GHz频率范围。此外，信道数为1信道，该设备提供5V电压供应，该设备具有供应商器件封装，电流供应为120mA，增益为18.5dB，测试频率为34GHz~40GHz，P1dB为18dBm，噪声系数为6.5dB，RF类型为VSAT，Pd功耗为1W，其最大工作温度范围为+85℃，其最小工作温度范围为-55℃，工作电源电压为5V，工作电源电流为120 mA，工作频率为34 GHz至42 GHz，NF噪声系数为6.5 dB，P1dB压缩点为18 dBm，OIP3三阶截距为29 dBm，输入回波损耗为16 dB。
HMC-ABH241-SX带有用户指南，包括5V电源，设计用于中等功率放大器类型，测试频率如数据表注释所示，用于50GHz~66GHz，提供GaAs等技术特性，供应商设备包设计用于裸片，以及802.11/WiFi、WLAN RF类型，设备也可用作托盘包装。此外，封装外壳为Die，该器件提供17dBm P1dB压缩点，该器件具有17dBm的P1dB，工作电源电压为5V，工作电源电流为220 mA，工作频率为50 GHz至66 GHz，OIP3三阶截距为25 dBm，信道数为1信道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+85℃，输入回波损耗为15 dB，增益为24dB，频率范围为50 GHz至66 GHz，频率为50 GHz～66 GHz，电流供应为220mA。
HMC-ABH241是IC RF AMP DIE，包括功率放大器类型，它们设计用于220mA电流源，频率显示在数据表注释中，用于50GHz~66GHz，提供频率范围功能，如50GHz~66 GHz，增益设计用于24dB，以及15dB输入回波损耗，其最大工作温度范围为+85 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有1个信道数，OIP3三阶截距为25 dBm，工作频率为66 GHz，工作电源电流为220 mA，工作电源电压为5 V，P1dB为17dBm，P1dB压缩点为17 dBm，封装外壳为裸片，封装为散装，射频类型为通用型，供应商设备封装为裸片、技术为GaAs，测试频率为50GHz~66GHz，类型为射频放大器，电源电压为5V。
HMC-ABH209是IC RF AMP DIE，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于中等功率放大器类型，RF类型如数据表注释所示，用于一般用途，提供GaAs等技术特性，封装盒设计用于管芯，以及管芯供应商器件封装，该器件也可用于散装封装。此外，电流供应为80mA，设备提供80mA工作电源电流，设备具有5V电压供应，频率为55GHz~65GHz，测试频率为55GHz ~65GHz，频率范围为55GHz-65GHz，工作频率为55GHz-65GHz、工作电源电压为5V，OIP3三阶截距为25dBm，P1dB为16dBm，P1dB压缩点为16dBm，增益为13dB，输入回波损耗为13dB；信道数为1信道。
