STM32F205VET6

描述

STM32F20x系列基于高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，工作频率高达120 MHz。该系列包含高速嵌入式存储器（闪存高达1 Mbyte，系统SRAM高达128 Kbyte）、高达4 Kbyte的备份SRAM，以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。

该设备还具有自适应实时存储器加速器（ART加速器™) 这允许以高达120MHz的CPU频率从闪存实现相当于0等待状态程序执行的性能。此性能已使用CoreMark®基准测试进行了验证。

所有设备均提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、十二个通用16位定时器（包括两个用于电机控制的PWM定时器）、两个通用32位定时器。真数随机发生器（RNG）。它们还具有标准和高级通信接口。新的高级外围设备包括SDIO、增强型柔性静态存储器控制（FSMC）接口（适用于100针及以上封装的设备）和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还具有标准外设。

•最多三个I2C

•三个SPI，两个I2S。为了实现音频级精度，I2S外围设备可以通过专用内部音频PLL或通过外部PLL计时，以允许同步。

•四个USART和两个UART

•具有全速功能的USB OTG高速（带ULPI）

•第二个USB OTG（全速）

•两个CAN

•SDIO接口

•以太网和摄像头接口仅适用于STM32F207xx设备。

特征
•核心：ARM®32位Cortex®-M3 CPU（最大120 MHz），带自适应实时加速器（ART加速器™) 允许闪存、MPU、150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）的0等待状态执行性能
•记忆
–高达1 MB的闪存
–512字节OTP内存
–高达128+4 KB的SRAM
–灵活的静态存储器控制器，支持紧凑型闪存、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器
–LCD并行接口，8080/6800模式
•时钟、复位和电源管理
–1.8至3.6 V应用电源+I/O
–POR、PDR、PVD和BOR
–4至26 MHz晶体振荡器
–内部16 MHz工厂修整RC
–32 kHz振荡器，用于带校准的RTC
–内部32 kHz RC，带校准
•低功耗模式
–睡眠、停止和待机模式
–用于RTC的VBAT电源、20×32位备份寄存器和可选的4 KB备份SRAM
•3×12位、0.5µs ADC，最多24个信道，最高6 MSPS，采用三重交错模式
•2×12位D/A转换器
•通用DMA：16流控制器，具有集中FIFO和突发支持
•最多17个定时器
–最多12个16位和两个32位计时器，最高120 MHz，每个计时器最多4个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交（增量）编码器输入

特色