9icnet为您提供由Intel设计和生产的5SGSMF35LNAA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。5SGSMF35LNAA参考价格为83.692美元。Intel 5SGSMF35LNAA封装/规格：IC FPGA 1152FBGA。您可以下载5SGSMF35LNAA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SMF30A-E3-08是TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMF，包括SMF系列，它们设计用于齐纳型，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，提供电流额定值功能，如4.1 a，终端样式设计用于SMD/SMT，以及DO-219AB包装盒，其工作温度范围为-65°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备在通用应用中提供，该设备具有1个通道数量的通道，供应商设备包为SMF，单向通道为1，电压反向间隔类型为30V，最小击穿电压为33.3V，最大电压钳位Ipp为48.4V，电流峰值脉冲10 1000μs为4.1A，功率峰值脉冲为200W，电源线保护为No，电容频率为207pF@1MHz，Pd功耗为200W；最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，击穿电压为33.3 V，钳位电压为48.4 V，Cd二极管电容为207 pF，工作电压为30V，极性为单向，Ipp峰值脉冲电流为4.1A，Vesd Voltage ESD Contact为30kV，Vesd Voltage ESD Air Gap为30kV。
带有用户指南的SMF30A-E3-18，包括30 V工作电压，它们设计用于30 V电压反向间隔类型，数据表注释中显示了用于48.4V的电压钳位最大Ipp，提供最小电压击穿功能，如33.3V，Vesd Voltage ESD Contact设计用于30 kV，以及30 kV Vesd VoltageESD气隙，该设备也可以用作1个单向信道。此外，该类型为齐纳，该器件采用SMD/SMT终端样式，该器件具有供应商器件封装的SMF（DO-219AB），系列为SMF，功率峰值脉冲为200W，电源线保护为否，极性为单向，Pd功耗为200W；封装为带卷（TR）交替封装，封装盒为DO-219A，其工作温度范围为-65°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，Ipp峰值脉冲电流为4.1 A，电流峰值脉冲10 1000μs为4.1A，钳位电压为48.4 V，Cd二极管电容为207pF，电容频率为207pF@1MHz，击穿电压为33.3V，双向通道为，应用为通用。
SMF30A是TVS DIODE 30VWM 48.4VC SOD123F，包括通用应用，它们设计用于双向信道，击穿电压如数据表注释所示，用于33.3 V至36.8 V，具有48.4 V等钳位电压特性，电流峰值脉冲10 1000μs设计用于4.1A，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，其工作温度范围在-55℃~150℃（TJ），工作温度范围从-55℃到+150℃，包装箱为SOD-123F，包装为Digi-ReelR替代包装，Pd功耗为200W，峰值浪涌电流为4.1A，极性为单向，电源线保护为否，功率峰值脉冲为200W、系列为SMF，供应商设备封装为SOD-123F，终端类型为SMD/SMT，类型为齐纳，单向通道为1，电压击穿最小值为33.3V，电压钳位最大Ipp为48.4V，电压反向间隔Typ为30V。
