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M1A3P250-VQG100

  • 描述:电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 I/O数量: 68 闸门数量: 250000 供应商设备包装: 100-VQFP(14x14) 工作温度: 0摄氏度~85摄氏度(TJ) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 美高森美 (Microsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 180

数量 单价 合计
1+ 158.31099 158.31099
200+ 61.26580 12253.16000
500+ 59.11924 29559.62300
1000+ 58.05120 58051.20400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥158.31100
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥28,495.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 0摄氏度~85摄氏度(TJ)
  • LAB/CLB数量 -
  • 逻辑元件/单元的数量 -
  • 制造厂商 美高森美 (Microsemi)
  • 电源电压 1.425伏~ 1.575伏
  • 包装/外壳 100-TQFP
  • 供应商设备包装 100-VQFP(14x14)
  • RAM 总位数 36864
  • I/O数量 68
  • 闸门数量 250000
  • 特点 -
  • 色彩/颜色 -

M1A3P250-VQG100 产品详情

闪存优势降低了拥有成本

设计师的优势不仅在于低单位成本、性能和易用性。与基于SRAM的FPGA不同,基于闪存的ProASIC3E设备允许所有功能即时启动;不需要外部启动PROM。板上安全机制防止访问所有编程信息,并实现FPGA逻辑的安全远程更新。设计师可以执行安全的远程系统内重新编程,以支持未来的设计迭代和现场升级,并确信宝贵的知识产权(IP)不会被泄露或复制。可以使用行业标准AES算法执行安全ISP。ProASIC3E系列设备架构减轻了在较高用户量下进行ASIC迁移的需求。这使得ProASIC3E系列成为一种经济高效的ASIC替代解决方案,尤其适用于消费、网络/通信、计算和航空电子市场的应用。

安全

基于闪存的非易失性ProASIC3E设备不需要启动PROM,因此不存在容易复制的易受攻击的外部位流。ProASIC3E设备包含FlashLock,它提供了可编程性和设计安全性的独特组合,而无需外部开销,这是只有具有非易失性闪存编程的FPGA才能提供的优势。

特色

高容量
•60万至300万系统闸门
•108至504 kbits的真双端口SRAM
•多达620个用户I/O
可重新编程闪存技术
•130 nm,7层金属(6铜),基于闪存的CMOS工艺
•0级即时支持
•单片解决方案
•断电时保持编程设计
片上用户非易失性存储器
•1 kbit闪存ROM,带同步接口
高性能
•350 MHz系统性能
•3.3 V,66 MHz 64位PCI
系统内编程(ISP)与安全
•ISP通过JTAG使用片上128位高级加密标准(AES)解密(符合IEEE 1532)
•FlashLock®旨在保护FPGA内容
低功耗
•低功耗的核心电压
•仅支持1.5-V系统
•低阻抗闪光开关
高性能路由层次结构
•分段分级路由和时钟结构
•超快本地和长线网络
•增强型高速、超长线路网络
•高性能、低偏斜全球网络
•体系结构支持超高利用率
M1A3P250-VQG100所属分类:现场可编程门阵列(FPGA),M1A3P250-VQG100 由 美高森美 (Microsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。M1A3P250-VQG100价格参考¥158.310995,你可以下载 M1A3P250-VQG100中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询M1A3P250-VQG100规格参数、现货库存、封装信息等信息!

美高森美 (Microsemi)

美高森美 (Microsemi)

Microsemi Corporation总部设于加利福尼亚州尔湾市,是一家领先的高性能模拟和混合信号集成电路及高可靠性半导体设计商、制造商和营销商。 Microsemi公司的半导体产品可用于管理和控...

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