MachXO2系列超低功耗、即插即用、非易失性PLD有六个器件，其密度范围从256到6864个查找表（LUT）。除了基于LUT的低成本可编程逻辑之外，这些设备还具有嵌入式块RAM（EBR）、分布式RAM、用户闪存（UFM）、锁相环（PLL）、预工程源同步I/O支持、高级配置支持（包括双引导功能）和常用功能的硬化版本，如SPI控制器、I2C控制器和定时器/计数器。这些特征允许这些设备用于低成本、高容量的消费者和系统应用。
MachXO2器件基于65nm非易失性低功耗工艺设计。该设备架构具有几个特点，例如可编程低摆幅差分I/O和动态关闭I/O组、片上PLL和振荡器的能力。这些功能有助于管理静态和动态功耗，从而降低家庭所有成员的静态功耗。
MachXO2设备有两种版本：超低功耗（ZE）和高性能（HC和HE）设备。超低功率设备有三种速度等级-1、-2和-3，-3是最快的。同样，高性能设备有三种速度等级：-4、-5和-6，-6是最快的。HC器件具有内部线性稳压器，其支持3.3V或2.5V的外部VCC电源电压。ZE和HE器件仅接受1.2V作为外部VCC供电电压。除电源电压外，所有三种类型的设备（ZE、HC和HE）在功能上都是兼容的，并且引脚彼此兼容。
MachXO2 PLD有多种先进的无卤封装，从节省空间的2.5x2.5 mm WLCSP到23x23 mm fpBGA。MachXO2设备支持同一封装内的密度迁移。表1-1显示了LUT密度、封装和I/O选项以及其他关键参数。
MachXO2设备系列中实现的预设计源同步逻辑支持广泛的接口标准，包括用于显示I/O的LPDDR、DDR、DR2和7:1传动装置。
MachXO2器件提供了增强的I/O功能，如驱动强度控制、转换速率控制、PCI兼容性、总线保持器锁存器、上拉电阻器、下拉电阻器、漏极开路输出和热插拔。上拉、下拉和总线保持器功能可在“每个引脚”的基础上进行控制。
MachXO2设备中包含用户可编程内部振荡器。该振荡器的时钟输出可被定时器/计数器分频，用作LED控制、键盘扫描器和类似状态机等功能中的时钟输入。
MachXO2设备还通过片上闪存提供灵活、可靠和安全的配置。这些设备还可以通过外部SPI闪存进行自身配置，或由外部主机通过JTAG测试访问端口或I2 C端口进行配置。此外，MachXO2设备支持双引导功能（使用外部闪存）和远程现场升级（TransFR）功能。
特色
灵活的逻辑架构
•六个设备，具有256至6864个LUT4和19至335个I/O
超低功耗设备
•先进的65 nm低功耗工艺
•低至19µW待机功率
•可编程低摆幅差分I/O
•待机模式和其他节能选项
嵌入式和分布式内存
•最高240 Kbits sysMEM™ 嵌入式块RAM
•高达54 Kbits的分布式RAM
•专用FIFO控制逻辑
片上用户闪存
•高达256 Kbits的用户闪存
•100000次写入周期
•可通过WISHBONE、SPI、I2 C和JTAG接口访问
•可用作软处理器PROM或闪存
预设计源同步I/O
•I/O单元中的DDR寄存器
•专用传动逻辑
•7:1显示器I/O的齿轮传动
•通用DDR、DDRX2、DDRX4
•支持DQS的专用DDR/DDR2/LPDDR内存
高性能、灵活的I/O缓冲区
•可编程系统IO™ 缓冲区支持多种接口：
–LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
–LVTTL
–PCI
–LVDS、总线LVDS、MLVDS、RSDS、LVPECL
–不锈钢25/18
–HSTL 18
–施密特触发器输入，高达0.5V滞后
•I/O支持热插拔
•片上差分终端
•可编程上拉或下拉模式
灵活的片上时钟
•八个主时钟
•高达两个边缘时钟，用于高速I/O接口（仅顶部和底部）
•每个设备最多两个模拟PLL，具有分数n频率合成–宽输入频率范围（10 MHz至400 MHz）
非易失性，无限可重构
•瞬时开启–以微秒为单位通电
•单片安全解决方案
•可通过JTAG、SPI或I2 C编程
•支持非易失性存储器的后台编程
•可选双引导，带外部SPI存储器
现场升级™ 重新配置
•系统运行时现场逻辑更新
增强的系统级支持
•芯片强化功能：SPI、I2 C、定时器/计数器
•芯片振荡器，精度为5.5%
•用于系统跟踪的唯一TraceID
•一次性可编程（OTP）模式
•扩展工作范围的单电源
•IEEE标准1149.1边界扫描
•系统编程符合IEEE 1532
多种套餐选项
•TQFP、WLCSP、ucBGA、csBGA、caBGA、ftBGA、fpBGA、QFN封装选项
•小尺寸封装选项–小至2.5x2.5mm
•支持密度迁移
•先进的无卤包装
