9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD910025SAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD910025SAL参考价格$4.08380。先进线性器件股份有限公司ALD910025SAL封装/规格：MOSFET DUAL SAB 10.6V 8SOIC。您可以下载ALD910025SAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如ALD910025SAL价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ALD91023SAL是MOSFET DUAL SAB 2.3V 8SOIC，包括SAB？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，额定电流设计用于80mA，以及SAB商标，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）包装箱。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件的额定电压为2.3V，应用为超级电容器自动平衡，通道数为2通道，供应商器件封装为8-SOIC，配置为双通道，晶体管类型为2N通道（双通道），Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+70℃，最小工作温度范围0℃，Vgs栅极-源极电压为1.9 V，Id连续漏极电流为10 mA，Vds漏极-源极击穿电压为10.6 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.3 V，Rds漏极源极电阻为19欧姆，晶体管极性为N沟道，并且典型的关断延迟时间是10ns，并且典型的接通延迟时间是10ds。
ALD910024SAL是MOSFET DUAL SAB 2.4V 8SOIC，包括2.4V额定电压，它们设计为在2.4V Vgs第栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于2 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如10.6 V，单位重量设计为工作在0.002998盎司，以及10 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作10ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道（双），该器件以N沟道晶体管极性提供，该器件具有商品名SAB，技术为Si，供应商器件包为8-SOIC，系列为SAB？，Rds漏极-源极电阻为20欧姆，Pd功耗为500mW，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为0 C，最大工作温度范围+70 C，Id连续漏极电流为10 mA，额定电流为80mA，配置为双重，应用为超级电容器自动平衡。
ALD910024SALI带有电路图，包括超级电容器自动平衡应用，它们设计为在80mA额定电流下工作，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型设计为表面安装，以及2通道数量的通道，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用。此外，封装为Tube，该器件为SAB？系列，该器件具有供应商器件封装的8-SOIC，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道（双），额定电压为2.4V。
