TLE5046IC-PWME-R100
- 描述:暂无
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 26.30219 | 26.30219 |
| 200+ | 10.17980 | 2035.96180 |
| 500+ | 9.82409 | 4912.04550 |
| 1000+ | 9.64623 | 9646.23200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥26.30220
-
数量:
- +
- 总计: ¥26.30
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TLE5046IC-PWME-R100 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TLE4972AE35D5XUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 传感器型号: 霍尔效应，微分 电流检测: 2000A 电源电压: 3.1伏~3.5伏 精确度: ±2% 用来测量: 交流/直流 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） | ¥35.96935 |
 | TLE4972AE35S5XUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 传感器型号: 霍尔效应，微分 电流检测: 2000A 电源电压: 3.1伏~3.5伏 用来测量: 交流/直流 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） | ¥32.17785 |
| TLE5046ICPWMR100HALA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 磁阻的 输出类别: PWM 传感范围: 250mT (X,Y), 500mT (Z) 电源电压: 5.2V ~ 20V 最大供电电流: 16.1毫安 供应商设备包装: PG-SSO-2-1 | ¥19.26504 |
| TLE4929CXHAM18NHAMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 输出类别: 漏极开路 传感范围: ±120mT 电源电压: 4伏~16伏 最大供电电流: 13.4毫安 供应商设备包装: PG-SSO-3-53 | ¥76.36426 |
 | TLE4998C8XUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 输出类别: 开路漏极，PWM 传感范围: ±50mT ~ ±200mT 电源电压: 4.5伏~5.5伏 最大供电电流: 8毫安 | ¥19.08261 |
| TLE4929CXHAM38NHAMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 输出类别: 漏极开路 传感范围: ±120mT 电源电压: 4伏~16伏 最大供电电流: 13.4毫安 供应商设备包装: PG-SSO-3-53 | ¥55.15956 |
| TLE493DA1B6HTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 输出类别: IOC 传感范围: ±60mT 电源电压: 2.9伏~3.5伏 供应商设备包装: PG-TSOP-6-6-5 | ¥6.12884 |
 | TLE4997A8DXUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 霍尔效应 输出类别: 模拟电压 传感范围: ±50mT ~ ±200mT 电源电压: 4.5伏~5.5伏 最大供电电流: 10毫安 | ¥64.46098 |
| TLE5046ICPWMER050HALA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 磁阻的 输出类别: PWM 传感范围: 250mT (X,Y), 500mT (Z) 电源电压: 4.25V ~ 20V 最大供电电流: 16.1毫安 供应商设备包装: PG-SSO-2-1 | ¥28.55398 |
| TLE5046ICPWMER100HALA1 | 英飞凌 (Infineon) | 技术: 磁阻的 输出类别: PWM 传感范围: 250mT (X,Y), 500mT (Z) 电源电压: 5.2V ~ 20V 最大供电电流: 16.1毫安 供应商设备包装: PG-SSO-2-1 | ¥18.19931 |
TLE5046IC-PWME-R100所属分类：贴片/直插铝电解电容，TLE5046IC-PWME-R100 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TLE5046IC-PWME-R100价格参考￥26.302198，你可以下载 TLE5046IC-PWME-R100中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TLE5046IC-PWME-R100规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
