MT47H32M16NF-25E:HTR
- 描述:暂无
- 品牌: 镁光 (Micron)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 32.71591 | 32.71591 |
| 200+ | 13.05273 | 2610.54680 |
| 500+ | 12.62184 | 6310.92350 |
| 1000+ | 12.40114 | 12401.14900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥32.71591
-
数量:
- +
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| MT42-013 | 马克泰克 (Marktech) | PHOTO DETECTOR 0.8MM | ¥2,993.68903 |
| MT4HTF3264AY-80ED3 | 镁光 (Micron) | 存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 256MB 速度: 800MT/s 包装/外壳: 240-UDIMM | ¥886.05241 |
 | MT4LSDT864HY-133G2 | 镁光 (Micron) | 存储类型: SDRAM 存储容量: 64MB 速度: 133MHz 包装/外壳: 144-SODIMM | ¥1,050.73122 |
 | MT47H256M4HQ-5E:E TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (256M x 4) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x11.5) | ¥200.0489 |
 | MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) | ¥54.74371 |
| MT40A1G8SA-075:E | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.33 GHz 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x11) | ¥37.31687 |
 | MT46V16M8TG-6T:D TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP | ¥36.14207 |
| MT40A512M16LY-062E:E | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA（7.5x13.5） | ¥94.23013 |
 | MT48LC16M16A2P-6A XIT:G TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥36.11046 |
 | MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR | 镁光 (Micron) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥38.12828 |
MT47H32M16NF-25E:HTR所属分类：特殊用途晶体管，MT47H32M16NF-25E:HTR 由 镁光 (Micron) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MT47H32M16NF-25E:HTR价格参考￥32.715911，你可以下载 MT47H32M16NF-25E:HTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MT47H32M16NF-25E:HTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
镁光 (Micron)
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