DDTA114ECAQ-7-F
- 描述:晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.37369 | 0.37369 |
| 200+ | 0.14461 | 28.92380 |
| 500+ | 0.13953 | 69.76700 |
| 1000+ | 0.13702 | 137.02100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥0.37370
-
数量:
- +
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规格参数
- 晶体管类型 1个PNP-预偏置
- 功率(Pd) 200mW
- 集电极电流(Ic) 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo) 50V
- 集电极截止电流(Icbo) 500nA
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@10mA,500uA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 30@5mA,5V
- 特征频率(fT) 250MHz
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DDTA114ECAQ-7-F所属分类：预偏置双极晶体管阵列，DDTA114ECAQ-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DDTA114ECAQ-7-F价格参考￥0.373697，你可以下载 DDTA114ECAQ-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DDTA114ECAQ-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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