MMST3904
- 描述:晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V
- 品牌: 伯恩半导体 (BORN)
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|---|---|---|
| 3000+ | 0.05487 | 164.61600 |
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规格参数
- 晶体管类型 NPN
- 集射极击穿电压(Vceo) 40V
- 集电极电流(Ic) 200mA
- 功率(Pd) 200mW
- 集电极截止电流(Icbo) 60nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@50mA,5mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 100@10mA,1V
- 特征频率(fT) 300MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
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MMST3904所属分类：分立双极结型晶体管，MMST3904 由 伯恩半导体 (BORN) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMST3904价格参考￥0.157591，你可以下载 MMST3904中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMST3904规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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伯恩半导体（深圳）有限公司（BORNSEMI）是一家以自主研发设计、生产销售为主体的半导体公司，是专业从事保护器件和功率器件的晶元设计研发与生产销售的高新技术企业，是国际掌握半导体过压保护器件和保护集成...
