IGW60N60H3
- 描述:IGBT类型：沟槽场截止 功率(Pd)：416W 集射极击穿电压(Vces)：600V 集电极电流(Ic)：80A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 72.03175 | 72.03175 |
| 200+ | 27.88156 | 5576.31300 |
| 500+ | 26.90418 | 13452.09350 |
| 1000+ | 26.42075 | 26420.75200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥72.03176
-
数量:
- +
- 总计: ¥72.03
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规格参数
- IGBT类型 沟槽场截止
- 功率(Pd) 416W
- 集射极击穿电压(Vces) 600V
- 集电极电流(Ic) 80A
- 集电极脉冲电流(Icm) 180A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 40uA@600V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.85V@60A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 5.1V@1mA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 375nC@60A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 3.66nF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 27ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 252ns
- 导通损耗(Eon) 2.1mJ
- 关断损耗(Eoff) 1.13mJ
- 正向压降(Vf@If) -
- 反向恢复时间(Trr) -
- 工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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IGW60N60H3所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IGW60N60H3 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IGW60N60H3价格参考￥72.031756，你可以下载 IGW60N60H3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IGW60N60H3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
