
HY1904C2
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):65A 功率(Pd):48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,20A
 - 品牌: 华羿微 (HUAYI)
 - 交期:2-3 工作日
 
渠道: 
 - 自营
 - 得捷
 - 贸泽
 
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 | 
|---|---|---|
| 1+ | 1.77998 | 1.77998 | 
| 10+ | 1.45692 | 14.56924 | 
| 30+ | 1.31851 | 39.55536 | 
| 100+ | 1.12125 | 112.12520 | 
| 500+ | 1.04432 | 522.16250 | 
| 1000+ | 0.99818 | 998.18800 | 
- 库存: 5855
 - 单价: ¥1.77999
 - 
                  数量:
                  - +
 - 总计: ¥1.78
 
在线询价
 温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 类型 N沟道
 - 漏源电压(Vdss) 40V
 - 连续漏极电流(Id) 65A
 - 功率(Pd) 48W
 - 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6mΩ@10V,20A
 - 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA
 
HY1904C2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HY1904C2 由 华羿微 (HUAYI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HY1904C2价格参考¥1.779986,你可以下载 HY1904C2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HY1904C2规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华羿微 (HUAYI)

华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日,位于西安经济技术开发区草滩生态产业园,占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元,天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东,持有公司88.46...






