MMFTN3019E
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.10810 | 0.10810 |
| 10+ | 0.09735 | 0.97352 |
| 30+ | 0.09565 | 2.86971 |
| 100+ | 0.08745 | 8.74510 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 100mA
- 功率(Pd) 150mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@4V,10mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@100uA
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MMFTN3019E所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，MMFTN3019E 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMFTN3019E价格参考￥0.108100，你可以下载 MMFTN3019E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMFTN3019E规格参数、现货库存、封装信息等信息！