
BSC016N06NS
- 描述:类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6mΩ@10V,50A
 - 品牌: 英飞凌 (Infineon)
 - 交期:2-3 工作日
 
渠道: 
 - 自营
 - 得捷
 - 贸泽
 
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 | 
|---|---|---|
| 1+ | 13.69381 | 13.69381 | 
| 10+ | 11.95975 | 119.59752 | 
| 30+ | 10.87727 | 326.31837 | 
| 100+ | 9.76327 | 976.32770 | 
| 500+ | 7.95565 | 3977.82600 | 
| 1000+ | 7.73495 | 7734.95400 | 
- 库存: 12018
 - 单价: ¥13.69381
 - 
                  数量:
                  - +
 - 总计: ¥13.69
 
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规格参数
- 类型 N沟道
 - 漏源电压(Vdss) 60V
 - 连续漏极电流(Id) 30A
 - 功率(Pd) 2.5W
 - 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6mΩ@10V,50A
 - 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.3V@95uA
 
BSC016N06NS所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC016N06NS 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC016N06NS价格参考¥13.693811,你可以下载 BSC016N06NS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC016N06NS规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

















